RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3545
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link