RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3545
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link