RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
60
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3545
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link