RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link