RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2534
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link