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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
52
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
24
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2534
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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