RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3551
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link