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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.8
写入速度,GB/s
7.5
14.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3551
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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