RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link