RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
1912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link