RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3063
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link