RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2553
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link