RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2553
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link