RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link