RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3044
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link