RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link