RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link