RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2786
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link