RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 28
    Около -12% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.4 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.4 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 15.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 13.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 2786

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
модули RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
модули RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
модули RAM