RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
34
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
9.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3137
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link