RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 34
    Около -6% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 16.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    34 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.2 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.7 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2636 left arrow 3137

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM

Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
модули RAM
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Golden Empire 2GB DDR2 800 CAS=4 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
модули RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
модули RAM