RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
20.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3831
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link