RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
28
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3521
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link