RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2427
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link