G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Wynik ogólny

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16.4 11.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.5 9.1

Średnia wartość w badaniach

Inmos + 256MB

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 36

Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 12800

Wokół strony 1.31 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

36 30
Prędkość odczytu, GB/s

16.4 11.5
Prędkość zapisu, GB/s

10.5 9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 16800

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2618 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

Kingston 9965589-030.D01G 8GB

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB