RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kllisre 0000 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 0000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
60
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2220
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kllisre 0000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link