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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
60
左右 -22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
49
读取速度,GB/s
4,595.2
10.9
写入速度,GB/s
2,168.2
7.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2220
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
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