RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link