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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3971
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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