RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2871
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link