RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link