RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston KY7N41-MID 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2869
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KY7N41-MID 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link