RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link