RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link