RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2340
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link