RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3890
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link