RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link