RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3300
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link