RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
14.7
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3156
3465
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link