RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link