RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
62
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
28
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link