RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
3938
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link