RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2039
2256
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link