RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
28
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link