RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
28
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3255
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link