RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link