RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2915
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link