RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link