RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link