RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link