RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2810
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link