RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2452
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link