RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2452
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link